Когда ссср был самой читающей страной. Ссср был самой читающей страной в мире

Компания Micron Technology представила на выставке Mobile World Congress (MWC) 2018 в Барселоне свои новейшие чипы флэш-памяти 3D NAND. Они должны, как предполагается, стать основой памяти мобильных устройств.

Новые решения представляют собой 64-слойные чипы 3D NAND второго поколения, которые выполнены по технологии TLC (Triple Level Cell). Ячейки такого типа могут хранить по 3 бита информации.

Чипы соответствуют спецификации Universal Flash Storage (UFS) 2.1, что позволят им, в сравнении с eMMC, быть более производительными. При этом они тратят меньше энергии на работу. Чипы представлены в вариантах на 64, 128 и 256 ГБ. Как утверждается, они на 50% быстрее предыдущих версий памяти.

Как сообщается, новые чипы рассчитаны на смартфоны и фаблеты в том числе с поддержкой искусственного интеллекта, где скорость памяти критична. Также новая памяти рассчитана на виртуальную реальность и системы распознавания лиц. Отмечено, что появление ИИ на флагманских телефонах обуславливает потребность в более продвинутых решениях для хранения данных, которые обеспечивают более быстрый и эффективный доступ к данным. Аналитическая фирма Gartner прогнозирует, что к 2022 году 80% всех смартфонов будут иметь возможности ИИ, увеличивая потребность в обработке и хранении большего количества данных локально.

Кроме этого, ёмкость локальных хранилищ по-прежнему значительно возрастает, поскольку смартфоны стали устройствами для совместного использования фотографий и мультимедиа. На сегодняшний день максимум составляет 256 ГБ на флагманских смартфонах, а к 2021 году, по прогнозам, объёмы вырастут до терабайта.

Память играет все более важную роль в доставке новых функций, которые все мы ожидаем от наших смартфонов. Micron эксклюзивно предлагает, как модули DRAM, так и 3D NAND, а наши передовые разработки продолжают обеспечивать производительность, требуемую самыми передовыми смартфонами

Джино Скулик, вице-президент по маркетингу Mobile Business Unit

О сроках начала поставок пока ничего не сообщается, однако скорее всего новинка появится ближе к концу года.

К слову, текущий 2018 год может стать годом ИИ на смартфонах. Мы ранее уже сообщали, что компания MediaTek презентовала на выставке в Барселоне чипсет Helio P60. Это, как утверждается, первая система-на-чипе (SoC), которая имеет аппаратный искусственный интеллект и поддерживает все актуальные интерфейсы для разработчиков в области ИИ. Новый чип должен принести функции искусственного интеллекта на устройства среднего класса. По-видимому, скоро компания Qualcomm представит нечто подобное со своей стороны.

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND , чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND . Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Micron анонсирует карту памяти объёмом 1 ТБ

Компания Micron Technology выпустила новый накопитель, который она назвала самой ёмкой в мире картой памяти microSD. Её объём составляет 1 ТБ.

Карта памяти Micron c200 1TB соответствует стандарту microSDXC UHS-I. В её основе лежит 96-слойная 3D NAND QLC память. В компании сообщили, что ожидают от QLC памяти скорейшего внедрения и снижения стоимости высокоёмких портативных накопителей для видео разрешением 4K, большого числа фотографий и игр на всём спектре мобильных устройств и камер.

Сообщается, что представленная карта соответствует классу производительности в приложениях A2, что делает её прекрасным решением для установки в Android-гаджет по технологии Android Adoptable storage, расширив встроенную память устройства на эту карту.

Накопитель Micron c200 1TB обеспечивает скорость чтения до 100 МБ/с, а записи - до 95 МБ/с, отвечая требованиям UHS-I Speed Class 3 и Video Speed Class 30. В продаже карта появится во втором квартале 2019 года.

Micron начинает массовое производство памяти LPDDR4X

Компания Micron приступила к массовому производству памяти LPDDR4X по технологии 10 нм класса.

Данная технология производства позволяет компании выпускать 12 Гб чипы. В компании уверяют, что эти LPDDR4X микросхемы потребляют на 10% меньше энергии, по сравнению с LPDDR4-4266, в связи с меньшим выходным напряжением. При этом пропускная способность остаётся неизменной - 4266 Мб/с, а уменьшение габаритов позволяет увеличить количество устанавливаемых в устройство чипов.

Новые микросхемы от Micron имеют объём 1,5 ГБ. Это меньше, чем предлагаемые конкурентами аналоги объёмом 2 ГБ, однако решения Micron намного дешевле в производстве. Другие производители уже достаточно давно выпускают подобную память, но лучше позже, чем никогда.

Чипы LPDDR4X от Micron уже доступны для заказа, что многие производители портативных устройств уже и сделали.

Crucial анонсирует NVMe SSD на базе QLC

Известный бренд потребительских накопителей Crucial, за которым стоит производитель памяти Micron Technology, анонсировал доступность накопителя Crucial P1.

Этот накопитель с интерфейсом NVMe PCIe основан на памяти QLC, что позволяет Micron создать устройства хранения большей ёмкости с меньшими затратами.

Производитель отмечает, что накопитель занял лидирующие позиции в своей категории. В тесте PCMark 8 при смешанной нагрузке P1 достигает 565 МБ/с с 5084 баллами, обойдя конкурентов в той же ценовой категории. Скорости последовательного чтения и записи составляют 2000/1700 МБ/с. Они достигаются благодаря ускорению записи с использованием уникальной технологии SLC кэша. Надёжность накопителя составляет 1,8 миллиона часов наработки или 200 ТБ записанных данных. Энергопотребление составляет 100 мВт.

Накопитель Crucial P1 доступен в объёме 1 ТБ. Гарантия на него составляет 5 лет.

Micron выкупит долю Intel в IM Flash Technologies

Компания IM Flash Technologies является совместным предприятием, которое организовали Intel и Micron для работы над созданием и продвижением твердотельной памяти. И теперь Micron намерена перевести его в свою собственность.

Сообщается, что сумма сделки составит 1,5 миллиарда долларов. При этом на конец августа стоимость части Intel оценивалась в 1 миллиард.

Изначально обе компании вложили в IM Flash Technologies по 1,2 миллиарда долларов. Было это в далёком 2006 году. Главным достижением совместного предприятия можно считать разработку и внедрение памяти 3D XPoint, которая нашла себе применение в ЦОД и высокопроизводительных компьютерах энтузиастов.

Что касается сделки, то в своих финансовых отчётах Micron уже считает данное СП консолидированным. Компания не считает, что проводимая сделка повлияет на финансовые результаты компании и снизит прибыль за 2019 фискальный год.

В июле оба производителя чипов договорилась о завершении совместной разработки технологии 3D XPoint и раздельном ведении операций. На основании прошлых соглашений, Micron продолжит продавать пластины с памятью 3D XPoint компании Intel в течение года после закрытия. Сама же IM Flash после закрытия сделки будет полностью принадлежать Micron.

Micron имеет более 50% брака в микросхемах QLC NAND

Компания Micron изготавливает микросхемы памяти 3D Xpoint совестно с Intel, а также производит более традиционную NAND память для SSD . Фирма, вместе с остальными лидерами рынка, перешла на выпуск QLC NAND памяти, но её выпуск идёт с большими потерями.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD , который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

Промышленность DRAM столкнётся с перепроизводством в 2019 году

Рынок оперативной памяти по-прежнему остаётся высокоприбыльным, однако на фоне роста производства от Micron Technology и готовности китайских компаний Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Innotron Memory (ранее известную как Hefei ChangXin) начать выпуск продукции, в 2019 году ожидается кризис перепроизводства, о чём сообщает DigiTimes.

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2-3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.

Micron говорит о 20 Гб/с для GDDR6

Похоже, что компания Micron сможет с лёгкостью обойти стандарт JEDEC, где указывается пропускная способность GDDR6 в 14 Гб/с. Чтобы достичь 20 Гб/с нужно будет немного повысить напряжение.

Согласно свежему исследованию Micron, названному «16 Гб/с и больше с SingleEnded I/O в высокопроизводительной памяти для графики», память GDDR6 можно легко масштабировать со скорости 16,5 Гб/с при помощи «маленького, но полезного подъёма напряжения при вводе-выводе» . Так можно достичь скорости 20 Гб/с, по крайней мере, на бумаге.

Также документ гласит, что результат в 16,5 Гб/с демонстрирует полную функциональность DRAM, которая может быть резко поднята ограничением таймингов непосредственно в массиве памяти, а скорость в 20 Гб/с была достигнута переводом памяти в специальный режим работы, который использует только ввод-вывод, обходя массив памяти.

Конечно, в ближайшее время мы не увидим памяти GDDR6 со скоростью 20 Гб/с. Недавно Samsung анонсировала память GDDR6 со скоростью 18 Гб/с. В любом случае, даже 14 Гб/с память даст значительный прирост в производительности видеокарт.

20 сентября 2018 года компания Micron Technology обнародовала отчет за финансовый год, который завершился 30 августа. Благодаря успехам в заключительной четверти, один из ведущих производителей микросхем памяти зарегистрировал существенный рост выручки и прибыли по итогам 12-месячного периода. Финансовому подъему способствовал высокий спрос на оперативную память.

Годовая выручка Micron поднялась на 50% и составила $30,39 млрд против $20,32 млрд, зарегистрированных в прошлом фингоду. Кроме того, компания сообщила о чистой прибыли в размере $14,14 млрд. Год назад прибыль Micron составляла чуть более $5 млрд.

В распространенном компанией пресс-релизе глава Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил исключительные результаты финальной четверти, которые повозили компании завершить финансовый год на мажорной ноте и завоевать звание второго по величине производителя полупроводников в .

Выступая на конференции, посвященной квартальным и годовым итогам, Санджай Мехротра сообщил, что более трети выручки в 2018 фингоду обеспечили продукция для дата-центров и графическая память.

Также из отчета известно, что в конце 2018 фингода около 70% от суммарного объема продаж Micron пришлось на DRAM -микросхемы, а доля NAND в выручке составила порядка 26%. Годом ранее соотношение этих видов продукции выглядело как 66% к 30%.

Наряду с финансовыми итогами Micron раскрыла свои инвестиционные планы на 2019 фискальный год. Намеченный объем капиталовложений составляет $10,5 млрд плюс-минус 5%. Компания намерена направить средства на сокращение технологического отставания от конкурентов по DRAM-отрасли.

История

2018

Micron выкупает долю Intel в IM Flash Technologies за $1,5 млрд

Запрет на продажи чипов в Китае

В начале июля 2018 года Micron запретили продавать чипы в Китае из-за нарушения патентов, принадлежащих тайваньской компании United Microelectronics Corporation (UMC) . Это решение, вынесенное китайским судом, может больно ударить по бизнесу американской компании.

В Micron сообщили, что не получали уведомление об ограничениях бизнеса, и не собираются давать комментарии до тех пор, пока не ознакомятся с материалами дела.

Патентное разбирательство между Micron и UMC началось в декабре 2017 года, когда американская компания подала на UMC в калифорнийский суд, обвинив конкурента в нарушении прав на свою интеллектуальную собственность. Тайваньский чипмейкер подал встречный иск в Китае и добивается, чтобы суд запретил Micron производство, импорт и продажу продуктов, нарушающих патенты UMC, а также распорядился уничтожить все запасы выпущенной продукции и обязал выплатить компенсацию.

В 2017 году Micron также обвинила UMC и ее китайского партнера Fujian Jinhua Integrated Circuit Co. в краже секретов производства чипов памяти.

Закрытие китайского рынка для Micron крайне невыгодно для компании, которая получает в стране примерно половину всей своей выручки.

После заявления о запрете продаж чипов Micron в Поднебесной котировки компании упали на 5,5%, тогда как акции UMC подорожали более чем на 3%.

Micron и другим американским производителям чипов все сложнее работать в Китае на фоне обострения торговых отношений между Вашингтоном и Пекином. Кроме того, Китай расследует возможное участие Micron в сговоре с южнокорейскими конкурентами по поводу фиксации цен. Проверка началась после резкого и продолжающегося подорожания чипов оперативной памяти.

2015: Падение прибыли из-за дешевеющей памяти для компьютеров

1 октября 2015 года Micron Technology обнародовала годовой финансовый отчет. Прибыль компании упала на 5% из-за дешевеющей компьютерной памяти, на которой специализируется американский производитель.

Согласно опубликованным на сайте Micron данным, в 2015 финансовом году, закрытом 3 сентября 2015-го, чистая прибыль компании составила без малого $2,9 млрд против $3,1 млрд годом ранее. Выручка за тот же период уменьшилась на 2%, достигнув $16,2 млрд.

Операционная прибыль чипмейкера снизилась с $3,1 млрд в 2014 финансовом году до $3 млрд год спустя, а валовая рентабельность уменьшилась с 32,8% до 26,9%.

Доходы Micron сокращаются из-за падения спроса на персональные компьютеры, которое негативно сказывается на продажах чипов и приводит к их удешевлению. В июле–сентябре 2015 года относительно трех предыдущих месяцев средняя стоимость микросхем DRAM-памяти понизилась на 7%, а их реализация у Micron перестала расти, говорится в отчетности вендора.

Аналитики Gartner ожидают, что общемировые поставки компьютеров в 2015 году упадут на 7,3%, хотя прежде предсказывали 4,5-процентный спад. В силу такого упадка ситуация на рынке памяти едва ли улучшится. В Micron надеются на восстановление рынка в 2016 году.

Надо особо отметить, что чипы 4х4 (те, из которых делают 16- и 32-мегабайтные SIMM) на ранней стадии выпускались в 400 mil SOJ корпусе. Впоследствии все производители перешли на корпуса 300 mil. Так что имейте в виду - необычно большие чипы 4х4 почти наверняка очень старые.

Указанная нотация, хотя и довольно понятна, как-то не подается формализованному описанию, поэтому лучше разберем общие принципы на примерах:

1. Перед нами чип с надписью Japan, какой-то вызывающей смутные ассоциации картинкой, и надписью:

   HM514400CS7

   
   Заглянув в таблицу, обнаруживаем, что HM - маркировка, которую использует Hitachi. Убедившись, что картинка (лого) также принадлежит Hitachi, из той же таблицы видим, что 51 - это используемый Hitachi код для асинхронного DRAM.

   Перейдем к концу надписи. Последняя группа букв (здесь CS) практически всегда несет информацию о типе упаковки (буква S, как в данном случае, или нередко J означает, как правило, SOJ ). Первая же буква в этой группе чаще всего относится к начальным буквам алфавита, ибо призвана обозначать ревизию (то есть порядковый номер по мере изменения) спецификации на данный продукт. В данном случае это ревизия C. Общего принципа для чтения информации в этой группе не существует, но она и не слишком важна (ревизия информативна только для очень продвинутых специалистов, а тип упаковки вы и так видите).

   Последняя цифра 7. У других производителей на ее месте могла бы стоять одна из следующих групп символов: -7, 70, -70. Уже понятно, что речь идет о времени доступа, просто кое-то из производителей пишет его полностью, а другие отбрасывают один нуль. Как правило, это не вызывает проблем с определением времени доступа, поскольку характерные времена для асинхронного DRAM 50-150 нс. Казалось бы, есть риск перепутать старенький 100 нс чип, у которого отбросили один нуль, с современным 10 нс SDRAM , но есть еще огромное количество признаков (код продукта, упаковка, рабочее напряжение , время изготовления и т.д.), позволяющее отличить их друг от друга.

   Наконец, осталась группа из 4 цифр в середине - 4400. Переводится она следующим образом:

   а) Последний нуль с подавляющей вероятностью означает, что данный чип принадлежит к типу fast page . Для EDO практически все производители ставят на его месте другую цифру (обычно 5, см. таблицу). Если цифра, которую вы видите на этом месте, не является нулем и не совпадает с цифрой, декларированной производителем для EDO - вопрос требует дополнительного изучения. Это может быть как резервная цифра для того же fast page или EDO, так и указание на специальную архитектуру чипа (типа Quad-CAS ).

   б) Все нули, стоящие перед последней цифрой, можно игнорировать - они лишь заполняют свободное место, которое могло бы быть востребовано, если у чипов была бы другая организация.

   в) Оставшиеся цифры в начале рассматриваемой группы - 44. В них закодирована сначала емкость чипа, а потом число линий ввода-вывода . В данном случае разделить эти два числа не составляет труда - емкость 4 мегабита, ширина шины 4. Путем несложного деления выясняем, что перед нами чип 1х4.

   Итак, изучение артикула показало, что перед нами чип Hitachi fast page DRAM 1x4 SOJ 70 нс.

   Два резюме по этому поводу:

   Общее - для того, чтобы выделить группу цифр, ответственную за организацию и тип чипа, нужно отбросить спереди буквенно/цифровой код производителя и класса продукции, а сзади - буквы, отвечающие за ревизию и упаковку, а также информацию о времени доступа.

   Частное - для 4-мегабитных чипов эта группа цифр имеет длину 4.

2. Следующий пример - чип с лого в виде буквы F, опять же Japan, маркировка:

   MB8117405B-60

   
   MB (как и логотип) дает нам Fujitsu. B-60 - ревизия и 60 нс. Такое время доступа (а также то, что перед нами SOJ) заставляют усомниться, что перед нами SDRAM. Следовательно, код продукта - 81. Нам остались цифры 17405. Последняя пятерка, как согласно таблице, так и просто как правило, означает EDO, 0 перед ней отбрасываем. Емкость и ширина шины лежат в цифрах 174. Предположение, что емкость равна 1, дает нам весьма странную шину. Разделив эти цифры в другом месте, получаем 17 мегабит и 4 линии ввода-вывода. С линиями получше, но почему 17???

   Ответ заключается в том, что шестнадцатимегабитные чипы имеют еще один параметр, который отличает один чип от другого и называется "глубина refresh ". Вернее, этот параметр имеет любой чип, но только для шестнадцатимегабитных чипов чипы одной организации стали выпускаться с разными значениями этого параметра. Не вдаваясь в подробности, просто укажем, что у 16-мегабитных чипов число 16 в маркировке стали использовать для передачи этого параметра, так что бывшее 16 стало равняться:

   
   
   • 16 для 4k refresh
   • 17 для 2k refresh
   • 18 для 1k refresh
   (аналогично для 64-мегабитных чипов 64 может равняться и 65…)

   Итак, 174 - это 16 мегабит на 4 линиях ввода вывода, т.е. чип 4х4 (причем 2k refresh). Чип Fujitsu, 60 нс EDO. В дальнейшем не будем возвращаться к этим сравнительно легко определяемым подробностям. Отметим еще, что 16-мегабитные чипы имеют уже 5 цифр для передачи той информации, которая у 4-мегабитных умещалась в 4 цифрах.

3. Чип, маркированный Toshiba TC5118165BJ-60 .

   TC - Toshiba, 51 - асинхронный DRAM, BJ - SOJ ревизия B (или что-то в этом роде - это наименее важно для нас), 60 нс. Остаток - 18165.

   Уже сравнительно легко видим, что 5 - EDO, а 1816 - это 16 мегабит на шине 16, 1k refresh, то есть чип 1х16.

4. Чип SEC KM416C1204AJ-7 . Смотрим в таблицу, видим Samsung, минус KM4, минус AJ-7, и осталось 16C1204. Что-то не так?

   Нет, если внимательно посмотреть в таблицу, то видно, что Samsung использует нестандартную нотацию. К счастью, она (относительно) легко читается. 4 в конце - это EDO, нуль можно все так же отбросить. Что означает двойка - мне неизвестно, похоже, придется отбросить и ее (что делать - нестандартный Samsung…). Оставшиеся 16C1 - это есть 1х16, где вместо х поставили C и поменяли местами множители. Так читается большинство маркировок Samsung.

   У другого отщепенца - Micron - маркировка (на мой взгляд) намного менее логична (вроде бы внутри одного класса чипов все примерно понятно, но разные классы маркируются по разному принципу, даже для EDO нет единой цифры), так что время доступа определяется без труда, а что касается остального - надо взять маркировки с сайта и учить наизусть. Сомневаясь, что кто-то этим займется, я сам их опускаю.

5. Еще немного чипов:

   OKI M5116405B-60

   16405 дает нам 4х4 4k refresh EDO (отметим кстати, что OKI, как иногда и некоторые другие производители, опускает в данном случае две первые буквы маркировки)

   LGS GM71C4403CJ60

   Goldstar 60 нс. Первое C необходимо отбросить, ибо означает оно 5-вольтовость (3-вольтовый чип имел бы на этом месте букву V, другие производители, как правило, никак не маркируют 5-вольтовые чипы, о напряжении питания - в ). 4403 - это 1х4 EDO.

   TI TMS417809DZ-50

   17809 - 2х8 2k refresh EDO

   "Стилизованное H" HY51V65404 TC-60

   Что касается SDRAM - ситуация тут несколько менее однозначная, скорее всего по причине недоотработанности общего стандарта. В частности, разные производители могут применять для маркировки как время такта (наиболее часто), так и тактовую частоту. Можно, впрочем, быть более-менее уверенным, что SDRAM с маркировкой 10 является 10 нс (а равно и 100 МГц), что, впрочем, не гарантирует его соответствия стандарту PC 100.

   Наконец, изредка можно встретить нетрадиционную маркировку. Так, например, NEC маркирует свои TSOP (и только их) по схеме типа …G5-A60-7JD . Здесь время доступа - это группа цифр (60) после A, а все остальное имеет отношение к типу корпуса и ревизии.

   Резюмируя - как правило, определяя время доступа по указанному методу, вы не ошибетесь, в любых неоднозначных случаях рекомендуется обращаться к документам производителей (см. таблицу).

   Если это другая цифра (чаще всего 5) - это скорее всего EDO .

   Более подробную информацию о цифре, применяемой для обозначения EDO, см. в таблице производителей. Относительно необычную нотацию применяет Micron (кстати, чип Micron может иметь не вышеупомянутую длинную группу цифр перед последними буквами, а смешанную буквенно-цифровую комбинацию), единых правил здесь нет, но маленькие (меньше 5) цифры скорее обозначают fp, а большие - EDO.

   Наконец - все вышеизложенное относилось к микросхемам типа fast page или EDO , для SDRAM напряжением по умолчанию является 3.3В, соответственно это может никак не отражаться в маркировке. Впрочем, шансы встретить 5В SDRAM не особенно велики. Тем не менее, прежде чем определять напряжение, проверьте, не SDRAM ли это.

   Последнее соображение - от SOJ более естественно ожидать 5-вольтовости, а от TSOP - 3.3. Это опять же не закон, а скорее традиция, но если предлагаемая гипотеза о напряжении чипа противоречит данному правилу - рекомендую проверять ее особо тщательно.

Страница 7 из 9

Чем отличаются major-производители от остальных?

Основным отличием является наличие собственного кремниевого производства. Это невозможно без значительных инвестиций, в том числе и в разработку, соответственно, фирм-однодневок на этом рынке не существует.

Как следствие, major , имеющие определенный статус, меньше всего заинтересованы в его потере и практикуют жесточайший выходной контроль для своей продукции. В результате снижается риск приобретения брака конечным потребителем. Кстати, на "нормальном" потребительском рынке, не имеющем дела ни с кем кроме "мажоров" (речь не о сознательном выборе потребителя, выбор делает производитель модуля или торговец, потребителя обслуживающий), нормой является пожизненная гарантия на память.

Бранды же, не имеющие статуса major, собственных производств кремния не имеют, и либо специально созданы для реализации низкосортного кремния (тут комментарии излишни), либо в самом лучшем случае конечный потребитель не может быть уверен в происхождении и качестве кремния, упакованного в данные чипы (но в действительности можно быть уверенным - кремний был "какой подешевле"). То есть сказать, что качество major и не-major отличаются как небо и земля, может, и было бы преувеличением... но разница безусловно есть.

Зачем отказываться от модулей, собранных из "левых" чипов, если стоят они дешевле и устраивают меня по качеству?

Во-первых, не надо отказываться ни от чего, устраивающего вас по качеству! Ибо это будет чистой воды снобизмом. В любом случае высокое и низкое качество, скажем, определенной марки всегда есть понятие статистическое (грубо говоря, процент дошедшего до покупателя брака), так что вы можете являться счастливчиком, дешево купившим идеальный продукт. Опять же, поскольку память, как и большинство чисто электронных устройств, от старости не портится, сам факт долгой безупречной работы - это очень хорошо. Тем не менее вот некоторые соображения, по которым я сам никогда "безымянную" память не куплю:

1. На должной ли высоте планка качества? Сколько раз мы все слыхали о "маздайных" Windows 95, которые глючат, виснут и падают? На мой взгляд - да, бывает это с ними, но вовсе не настолько часто, чтобы делать из этого проблему (3.11 были не лучше). Есть серьезное подозрение, что вся та "маздайность", за которую не отвечают разогнанные процессоры и подозрительные материнские платы, находится на совести памяти (благо она сейчас без четности , сама не пожалуется). Да, Windows 95 довольно-таки уродлива, но если она еще и неработоспособна - не спешите говорить, что с вашим железом все в порядке.
2. Если все в порядке - работает ли память в максимально напряженном режиме (например, если она маркирована на 60 нс - 66 ли Мгц у вас на шине ?)? А будет работать?
3. Нынешнее падение цен на память, с одной стороны, вызывает у производителей острейшее желание снизить издержки, не выбрасывая на помойку отбракованный кремний, а реализуя его "подвальным" (преувеличение, конечно) упаковщикам. С другой стороны, для потребителя в этих условиях разница между самой дешевой и самой дорогой (но аналогичной) памятью составляет ничтожную долю цены всего компьютера. Нужно ли рисковать работой машины (или возить память на замену, если уж на то пошло) за несколько долларов?
4. Вопрос ликвидности. Очень многие компьютеры являются предметом постоянного апгрейда, и "лишние" детали приходится реализовывать. Как вы думаете, что у вас купят с большим удовольствием (и за большие, как следствие, деньги) - Hitachi или "50 лет Народно-Освободительной Армии Китая"?

Чисто в виде заключения - большинство приведенных выше рассуждений имеют и оборотную сторону, и в действительности не являются доказательством правоты только моей точки зрения. Девиз "приемлемая функциональность за минимальную цену" имеет право на существование. Так что выбор в конечном счете за вами. См. начало ответа.